Livraison & Retours

Choisissez le lieu

Point relais

Frais de livraison 9.00 Dhs
Prêt pour livraison entre 03 mai et 04 mai si vous commandez d'ici 11hrs 2mins

Livraison à domicile

Frais de livraison 16.92 Dhs
Prêt pour livraison entre 03 mai et 04 mai si vous commandez d'ici 11hrs 2mins

Politique de retour

Retour gratuit dans les 7 jours suivant la date de livraison.Détails

Informations sur le vendeur

Electronic Omar

60%Évaluation du vendeur

2 Abonnés

Suivre

Performance vendeur

Taux d'expédition des commandes: Excellent

Score Qualité: Excellent

Détails

Type Designator: RJP30E2DPP-M0

   Type: IGBT

   Type of IGBT Channel: N

   Maximum Power Dissipation (Pc), W: 25

   Maximum Collector-Emitter Voltage -Vce-, V: 360

   Maximum Gate-Emitter Voltage -Vge-, V: 30

   Maximum Collector Current -Ic- @25℃, A: 35

   Collector-Emitter saturation Voltage -VCE(sat)-, typ, V: 1.7

Fiche technique

Principales caractéristiques

Maximum Junction Temperature (Tj), ℃: 150

   Rise Time (tr), typ, nS: 100

   Collector Capacity (Cc), typ, pF: 60

   Total Gate Charge (Qg), typ, nC: 34

   Package: TO220F

Descriptif technique

  • SKU: TO026EA1FDPB6NAFAMZ
  • Poids (kg): 00.10
  • Couleur: Black
  • Matière principale: silicone
  • Type de garantie: Repair by Vendor

Commentaires des clients

Les clients ayant acheté ce produit n'ont pas encore émis d'avis.

Toshiba RJP30E2

Toshiba RJP30E2

50.00 Dhs - 400.00 Dhs
Avez-vous des questions?

Vus récemment

Voir tout